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DRAM芯片战争——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【3】

作者:超级工程一览 发布时间:2017-07-25 09:29:53 来源:民族复兴网 字体:   |    |  

——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【3】

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  来源:http://blog.sina.com.cn/s/blog_5a53af350102x81l.html

  1945年8月15日,日本东京皇宫外,东京电台正在广播:昭和天皇裕仁,宣读日本无条件投降诏书。很多日本老百姓跪在地上痛哭不止。这一天有600名日本军官自杀,逃避战败投降命运。东京城区已经在美国军队,长达半年的轰炸中化为废墟。共同社照片

  1945年二战结束后,日本作为战败国,经济受到严重打击;但是日本最核心的资产,工程师队伍得以保存下来。这批原本研制大和级战列舰、樱花自杀飞机的日本工程师,转向民用造船、家用电器、钢铁、汽车、摩托车、电子、石化领域,加速了日本战后经济重建。

  1948年中国国民党兵败如山倒后,美国便明确将日本,作为在亚洲对抗苏联的桥头堡。1950年开始,中美两国在朝鲜战场血战三年。美国巨额军需采购订单,使日本经济爬出了二战战败的泥潭。而美国为了拉拢日本对抗苏联,向日本转移了数百项先进技术。如黑白、彩色显像管电视机、晶体管收音机、录音机、计算器、电冰箱、洗衣机,在当时都是顶尖的民用消费品。日立、三菱、东芝、NEC、松下、三洋、富士通、索尼、夏普、冲电气(OKI)等日本企业,在此阶段廉价获得了大批美国专利技术,由此奠定了战后日本电子产业发展根基。

  此时,美国人绝对想不到,日本电子产业,会壮大到反噬美国的那一天。

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  1958年,日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机,研制的MD-2A磁鼓存储器,容量64K,每分钟转速可达到10000转。北辰电气后来被横河电机并购,消失在历史长河中。

  日本电子产业发育期——从美国购买核心技术

  自明治维新以来,日本经济的一大特征,是在政府主导下进行产业技术升级。1948年,日本内阁在通商产业省(简称通产省)下面,设立了工业技术厅,1952年更名为工业技术院,经费完全由财政拨付,负责推动日本整体产业技术发展。1953年日本东京通信工业公司(SONY前身)副社长盛田昭夫,耗资900万日元(2.5万美元),从美国西屋电气引进晶体管技术,生产晶体管收音机。1956年SONY袖珍收音机上市后一炮而红,索尼迅速崛起。受此影响,日立、三菱、NEC、OKI、东芝、三洋等公司,相继花钱从美国RCA和西屋电气,购买了晶体管专利授权。随着规模化生产,日本晶体管价格明显下降。1953年索尼试制的晶体管一颗为4000日元(11美元),到1958年降为200日元(0.56美元)。1959年日本晶体管产量达到8650万颗,产值约160亿日元(4445万美元)。

  当时日本与美国相比,技术上存在差距,唯一的优势是人工便宜。东京电子厂的日本工人,月薪还不到30美元。而美国工人月薪是380美元。在计算机方面,1956年,通产省工业技术院电气试验所,由高桥茂等人负责,研制出日本第一台晶体管计算机ETL MARK III,比美国晚两年。随后东京大学开发出PC-2电脑。1957年,通产省颁布执行电子工业振兴临时措置法(电振法57-71年),限制外资进入日本,以保护本国市场,引导日本企业发展半导体电子产业。1958年4月,日本各大电子厂商合作,组建了日本电子工业振兴协会(JEIDA),集体对计算机攻关。

  1958年9月,在通产省工业技术院电气试验所的技术援助下,日本NEC公司推出NEAC-2201晶体管计算机。这是日本第一台完全国产化的计算机。采用北辰电气(Hokushin Electric)研制的磁鼓存储器,容量64K。日本为炫耀这一成果,将其运到巴黎公开展出。

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  1960年,日本通产省工业技术院电气试验所,研制成功日本第一块晶体管集成电路。这是参与研制的骨干成员,左起,传田精一(研究员,東北大学工学博士)、垂井康夫(半导体部晶体管研究室主任)、井上ルミ子、鳴神長昭。

  日本官产学体系——集中全力进攻战略产业

  1959年2月,美国德州仪器发布集成电路。1960年2月,美国西屋电气(Westinghouse)公开宣称:半导体是未来主流技术。太平洋对岸的成果,对日本产生强烈刺激。1960年起,日本形成“官产学”体系,即政府、企业、大学联合对集成电路技术发起进攻。1960年12月,通产省电气试验所,研制成功日本第一块晶体管集成电路。研究成员有传田精一、垂井康夫等人。1961年4月8日,日本东京大学工学部的柳井久义、菅野卓雄、多田邦雄、柳川隆之四名教授,发布了他们与NEC公司合作,在晶体管集成电路上进行的基础研究。

  1962年,日本NEC为了解决晶体管集成电路的制造问题,支付技术授权费,从美国仙童公司,买来晶体管平面光刻生产工艺。解决生产问题后,日本NEC的集成电路产量暴增。1961年只有50块,1962年增长至1.18万块,1965年达到5万块。在此期间,NEC研制了多个型号的晶体管集成电路计算机,如NEAC-1200系列,NEAC-2200系列。日立公司与美国RCA合作,由日立半导体事业部的大野稔等人,研制出MOS型晶体管。1966年,日立发布了第一代MOS集成电路HD700,用于计算器,采用15微米生产工艺。夏普、三菱也纷纷将集成电路新技术,用于各自的计算器产品,使日本的集成电路迅速形成产业基础。到1970年,日本NEC的集成电路产量,已经达到3998万块。

  作为对比:早在1956年起,中国科学院就开始组织黄昆博士、谢希德博士、林兰英博士、王守武博士等人,研究平面光刻工艺。1963年中国科学院计算机研究所,研制出第一台国产晶体管大型计算机——109机,用于核武器工程。1964年开发出晶体管集成电路。以中国科学院和电子工业部为主,中国形成了由军事工业为牵引的庞大电子科研体系,下属各类电子企业单位超过2500家,全面领先韩国和台湾,但是在市场化程度上不如日本,当时中国民用消费市场仅限于收音机和电视机。

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  1968年4月,美国德州仪器董事长P.E.Haggerty,与日本索尼社长井深大签署协议,各占股50%,在日本设立子公司。后排左面站着盛田昭夫副社长。

  以市场换技术——想占领日本市场?别做梦了

  1960年代,为保护日本幼稚的电子工业,日本政府坚决实行贸易保护主义,只允许进口极少数的电子元器件,限制200日元以下的中低端IC元件进口。采用提高进口关税、发放进口许可证等方式,限制美国企业冲击日本市场。最典型的例子是德州仪器。1964年,美国德州仪器看到日本电子工业增速迅猛,便想在日本设立100%独资子公司,但是日本通产省死活不同意。一直交涉了长达四年之后,日本政府终于松口了,却提出了极为严苛的条件——拿核心技术来换。看起来似乎与改革开放后,中国采用的“以市场换技术”买办政策差不多,但里面的窍门差别就大了。

  1966年,美国德州仪器为打开日本市场,以自己拥有的IC制程核心专利,来引诱日本。日本通产省为了拿到技术,同时保护日本市场,可谓绞尽脑汁。1968年4月,由日本索尼社长井深大出面,与德州仪器董事长哈格蒂(P.E.Haggerty)签署协议,双方各占股50%,设立合资公司。条件是:在三年内,德州仪器必须向日本公开相关技术专利。并且德州仪器的产品,在日本市场占有率,不得超过10%。有了如此严苛的限制,日本政府将本国市场牢牢掌握在自己手里,不怕美国企业不交出核心技术。其后韩国政府也学会了这招,用来对付日本和美国企业。

  伟大革命家列宁说过:资本家为了利益,可以出卖绞死自己的绳子。日本产业界正是抓住了核心利益,使自身迅速发展壮大。这与改开后,中国采用“以市场换技术”政策,导致全国电子产业彻底崩溃;中国市场全面被日本、美国、韩国、台湾合资厂商联合占领,形成了鲜明对比。改开三十年来,中国电子产业市场损失,至少超过1万亿美元。谁该承担这一历史罪责?

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  1964年,美国IBM公司推出的System-360计算机,具有划时代意义,使计算机在社会运行中,日益占据核心地位。

  IBM大型计算机——日本企业望尘莫及

  在1960年代,尽管美国和日本都开始了集成电路产业化进程,但美国的实力远非日本可比。1964年4月7日,美国IBM公司推出其第一款小规模集成电路计算机System-360,运算速度过百万次大关。该机是IBM历史上的一次惊天豪赌,耗资52.5亿美元(约合4285吨黄金,现值1812亿美元,足够建7艘核动力航空母舰)。IBM公司招募6万余名新员工,新建5座工厂,攻克了指令集可兼容操作系统、数据库、集成电路等软硬件难关,获得超过300项专利。该机每台售价250-300万美元,到1966年已售出8000多台,使IBM年营收突破40亿美元,纯利润10亿美元。迅速占领了美国大型计算机市场98%、欧洲78%,日本43%的市场份额。IBM成为世界电子产业难以撼动的蓝色巨人。

  年营收40亿美元是什么概念呢?1961年美国建成世界第一艘核动力航空母舰,不过花费4.5亿美元。1966年中国外汇储备为2.11亿美元。中国动员全国力量研制原子弹、氢弹、导弹、卫星,也不过花费20亿美元左右。由此可见当年IBM如同巨人压顶一般,让其他企业喘不过气来,逼死了大批竞争对手。

  美国公司取得的巨大成功,对日本产生强烈震撼。1966年,由日本通产省主导,进行“超高性能大型计算机”开发计划。目标是在五年内投资120亿日元(0.34亿美元),追赶美国IBM大型计算机。由通产省电气试验所牵头,日立、东芝、NEC、富士通、三菱、冲电气(OKI)等企业组成团队,对日立研制的HITAC 8000系列大型计算机进行升级改造。HITAC 8000其实技术源自,美国RCA与日立合作研制的Spectra-70大型机。从集成电路、CPU、接口、软件,全都是仿制美国货。只投入这么点钱,就想追赶IBM,注定了该计划要失败。

  有句话叫丢西瓜捡芝麻,尽管大型计算机计划失败了,但是参与该项目的日本NEC公司,却成为日本第一家研制出DRAM内存的企业。在1966年的时候,HITAC 8000要求配备512K容量的高速内存,这是个极高的技术指标。NEC于是对NMOS工艺进行研究,1968年公开了使用NMOS工艺生产的144bit SRAM静态随机存储器,研制者有NEC半导体部门的大内淳義等人。这是个非常了不起的成果。两年后,美国英特尔才推出同类产品。1970年英特尔研制出C1103 1K DRAM内存后,日本NEC在第二年就推出了采用NMOS工艺的1K DRAM内存(型号μPD403)。使得NEC成为日本内存行业的龙头企业。

  

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  1962年,日本富士通研制的FACOM 602磁带机,将记录密度提高到333bpi,用于FACOM 241D计算机。

  逼迫日本开放市场——日本企业的产业反击战

  从1965年至1970年,美国集成电路市场的需求急剧增加,年增长率超过16%,日本政府和企业界,看到了这一商机,但是在产业技术上,与美国存在巨大差距。不过日本有个优势——大批日本人在美国工作。像江崎玲於奈之类的电子专家,长期在美国顶尖的IBM实验室工作,可以轻松获得大量经济情报,提供给日本产业界。

  1972年,美国IBM公司“FS(Future System)计划”的部分内容曝光。IBM计划投入巨资,在1980年前开发出1M DRAM内存芯片,应用到下一代电脑。当时,美国最先进的DRAM内存不过4K大小。这让尚停留在1K DRAM技术层次的日本企业产生强烈危机感。于是由日本电子工业振兴协会不断运作,1975年以通产省为中心的“下世代电子计算机用超LSI研究开发计画”构想,开始商量如何应对IBM的FS计划。1975年7月,通产省设立了官民共同参与的“超LSI研究开发政策委员会”。当时尽管日本各大厂商竞争激烈,但是在共同抵抗IBM巨人方面却是一致的。(超LSI就是超大规模集成电路的意思)

  1974年,日本在美国要求开放市场的政治压力下,被迫放宽计算机和电子元件进口限制。仅仅只用一年时间,美国IBM电脑,就如热刀切黄油一般,横扫日本各大计算机企业。碍于技术差距,日本产业界放弃了在电脑整机上与IBM正面拼杀,而是选择DRAM存储器产品,作为产业突破口。因为日本软件能力差,而CPU等部件与软件关联性高,日本啃不下来。DRAM内存芯片,与软件关联度弱,却有很高的毛利率。只要在生产工艺、成品率、产能方面下功夫,日本就有机会成功。

  最先行动起来的,是国营的日本电信电话株式会社(NTT),从1975年至1981年,NTT投资400亿日元(1.6亿美元),进行超大规模集成电路研究。终于在1980年研制出256K DRAM。NTT的大量采购,使日本的256K DRAM迅速形成产能优势。在NTT之外,日本产业界还在同时进行第二项技术攻关计划。

  

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  1977年5月5日,日本VLSI技术研究所,宣布研制成功可变尺寸矩形电子束扫描装置。

  举国体制——筹集720亿日元研制DRAM核心设备

  在1970年代,日本尽管可以生产DRAM内存芯片,但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板,1976年3月,经通产省、自民党、大藏省多次协商,日本政府启动了"DRAM制法革新"国家项目。由日本政府出资320亿日元,日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元(2.36亿美元)为基金,由日本电子综合研究所,和计算机综合研究所牵头,设立国家性科研机构——“VLSI技术研究所”(超LSI技術研究組合)。研究所地址就选在,位于川崎市高津区的NEC中央研究所内。日立公司社长吉山博吉担任理事长,根橋正人负责业务领导,垂井康夫担任研究所长,组织800多名技术精英,共同研制国产高性能DRAM制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化,远期在10-20年内,实现1M DRAM的实用化。(VLSI是超大规模集成电路的简称)

  在这个技术攻关体系中,日立公司(第一研究室),负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置,右高正俊任室长。富士通公司(第二研究室)研制可变尺寸矩形电子束扫描装置,中村正任室长。东芝(第三研究室)负责EB扫描装置与制版复印装置,武石喜幸任室长。电气综合研究所(第四研究室)对硅晶体材料进行研究,饭塚隆任室长。三菱电机(第五研究室)开发制程技术与投影曝光装置,奥泰二任室长。NEC公司(第六研究室)进行产品封装设计、测试、评估研究,川路昭任室长。

  在产业化方面,日本政府为半导体企业,提供了高达16亿美元的巨额资金,包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策,帮助日本企业打造DRAM集成电路产业群。到1978年,日本富士通公司,研制成功64K DRAM大规模集成电路。美国IBM、莫斯泰克、德州仪器也在同时发布了产品。这一年,由于日本64K动态随机存储器(DRAM)开始打入国际市场,集成电路的出口迅速增加。

  1980年,日本VLSI联合研发体,宣告完成为期四年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利,达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置,采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等,取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题,VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式,调动各单位进行良性竞争,保证研发成功率。各企业的技术整合,保证了DRAM量产成功率,奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。

  

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  1970年代,日本松下电器京都府长冈工场,整齐排列的100台自动焊线机,只需要10个人操作。该厂从1968年开始半导体生产。1970年代美国向马来西亚、韩国、台湾转移电子制造业,以降低人力成本。日本则采用大规模自动化生产的方式来降低成本。日本报纸震惊地写道:半导体工厂的人都消失了。

  获得丰厚回报——日本跃居世界第一大DRAM生产国

  1977年,全球的个人电脑出货量总计大约4.8万台。到1978年已经暴增至20万台,市场规模大约5亿美元。其中美国Radio Shack公司(电器连锁零售店)出售的Tandy TRS-80电脑销量约10万台,均价600美元,销售额6000美元,采用盖茨新开发的操作系统,CPU则是从英特尔辞职的前首席设计师费金,研制的Zilog—Z80。苹果公司的Apple II销量达到2万台,平均单价1500美元,属于高端货,年销售额约3000万美元。个人电脑市场的高速增长,对内存产生了大量需求。这给日本DRAM厂商带来了出口机会。

  做出口贸易的都知道,出口货不但价钱便宜,质量还要好。而在当时,美国人一般认为日本货质量低劣,远远比不上美国货。但是实际的结果令人大跌眼镜。1980年,美国惠普公司公布DRAM内存采购情况。对竞标的3家日本公司和3家美国公司的16K DRAM芯片,质量检验结果显示:美国最好DRAM公司的芯片不合格率,比日本最差DRAM公司的芯片不合格率,高出整整6倍。虽然惠普碍于情面,没有点出这些公司的名字。但人们很快知道了,三家美国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克,三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司为了拿到订单,甚至在给销售部门的指示上明确要求,要比美国公司的价格低10%。

  质量好,价格低,量又足,日本DRAM内存在美国迅速崛起。1982年,日本成为全球最大的DRAM生产国。这一年3月,日本NEC的九州工厂,DRAM月产量为1000万块(约1万片晶圆)。到了10月,月产量暴增至1900万块。其产量之大,成品率之高(良率超过80%),质量之好,使得美国企业望尘莫及。与产量相伴的是,原来价格虚高的DRAM内存模块,价格暴降了90%。一颗两年前还卖100美元的64K DRAM存储芯片,现在只要5美元就能买到了,日本厂商还能赚钱。美国企业由于芯片成品率低,根本无法与日本竞争,因此陷入困境。

  1982年,美国50家半导体企业秘密结成技术共享联盟,避免资金人力重复投资。可是这些合作项目刚刚启动,就传来了坏消息。美国刚刚研制出256K DRAM内存,而日本富士通、日立的256K DRAM已经批量上市。1983年间,销售256K内存的公司中,除了富士通、日立、三菱、NEC、东芝之外,只有一家摩托罗拉是美国公司。光是NEC九州工厂的256K DRAM月产量,就高达300万块。日本厂商开出的海量产能,导致这一年DRAM价格暴跌了70%。内存价格暴跌,使得正在跟进投资更新技术设备的美国企业,普遍陷入巨额亏损状态。难以承受亏损的美国企业,纷纷退出DRAM市场,又进一步加强了日本厂商的优势地位。

  

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  1978年3月15日,日本朝日新闻,报道垂井康夫担任所长的VLSI技术研究所,研制成功电子束扫描装置。

  低成本优势——美国厂商节节败退

  1984年,日本DRAM产业进入技术爆发期。通产省电子所研制成功1M DRAM,三菱甚至公开展出4M DRAM的关键技术。日立生产的DRAM内存,已经开始采用1.5微米生产工艺。东芝电气综合研究所,则投资200亿日元,建造超净工作间。在这种超净厂房内,每一立方米的净化空气中,直径0.1微米的颗粒,不能超过350个。只有在这种条件下才能制备1M、4M容量的DRAM存储器。与此同时,东芝研制出直径8英寸(200mm)级的,世界最大直径硅晶圆棒。到1986年,光是东芝一家,每月1M DRAM的产量就超过100万块。

  日本企业大量投资形成的产业优势,导致日本半导体对美国出口额,从1979年的4400万美元,暴增至1984年的23亿美元。五年间暴增52倍!而同时期,美国对日本出口的半导体,仅仅只增长了2倍。美国公司失去产品竞争力的后果,便是越想追赶越要投资,越投资亏损越大,陷入恶性循环。

  以英特尔为例,本来到1978年前后,英特尔在莫斯泰克的猛攻下,已经成为美国DRAM市场的后进角色,美国市场占有率低于20%。但是随着1980年后,日本DRAM产品大量出口美国,英特尔的日子就过不去下了。虽然DRAM产品只占英特尔销售额的20%,但是为了保住这块核心业务,公司80%的研发费用投向了DRAM存储器,明显是本末倒置。等到英特尔好不容易开发出新DRAM产品,此时日本厂商已经在低价倾销成品,导致英特尔无利可图,连研发费用都赚不回来。1984年至1985年间,陷入巨额亏损的英特尔,被迫裁员7200人,仍不能扭转困局。1985年10月,英特尔向外界宣布退出DRAM市场,关闭生产DRAM的七座工厂。

  1985年,全球半导体产业转入萧条,半导体价格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元,下降到1985年中旬的0.75美元。同期,256K DRAM由31美元下降到3美元。价格暴跌使美国英特尔、国家半导体等厂商撤出了DRAM市场。然而,就在同一年,日本NEC的集成电路销售额,排名世界第一,企业营业额是二战前的三百多倍,一举超越长期是行业龙头的美国德州仪器公司。凭借VLSI项目的成功,日本企业一举占据了64K、128K、256K和1M DRAM市场90%的份额。

  

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  1991年6月,日本驻美大使村田良平,与布什政府的美国贸易代表卡拉·安德森·希尔斯,在华盛顿签署新的五年期《日美半导体协议》。美国希望在1992年底前,能够在日本半导体市场占据20%的份额。这个协议让美国企业喘口气,韩国半导体产业则异军突起。到1995年底,外国半导体在日本市场占有率超过了30%。希尔斯这个女人非常厉害,中国的很多对美贸易谈判,都是以她为对手。

  日本廉价芯片攻势——美国挥出反倾销大棒

  对此,美国企业认定是日本人倾销导致了价格暴跌。1985年6月,美国英特尔、AMD等半导体公司联合起来,相继指控日本不公正贸易行为。鼓动美国半导体工业协会向政府游说,向国会递交一份正式的301条款文本,要求美国政府制止日本公司的倾销行为。1985年10月,美国商务部制定了一项法案,指控日本公司倾销256K DRAM和1M DRAM。

  随后,美国商务部与日本通产省,就301条款和反倾销诉讼进行谈判。1986年9月,日本通产省与美国商务部,签署第一次《美日半导体协议》。根据这项协议,美国暂时停止对日本企业的反倾销诉讼。但作为交换条件,要求日本政府促进日本企业,购买美国生产的半导体,加强政府对价格的监督机制以防止倾销。并且美国半导体产品,在日本市场占有率,可以放宽到20%。日美半导体协议的签署,在日美贸易摩擦史上,具有重要意义。标志着美苏冷战后期,美国从全力扶植日本经济,转向全面打压日本经济。

  美国的制裁并没能立刻遏制日本的技术优势。1986年,日本NEC开发出世界第一块4M DRAM。日本NTT则在次年展出了16M DRAM样品。到1988年,全球20大半导体厂商中,日本占据了11家,美国只有5家。而且日本企业包揽了前三名。日本NEC以45.43亿美元的营收总额排名世界第一,东芝以43.95亿美元排名第二,日立以35亿美元排名第三,美国摩托罗拉以30亿美元排名第四,德州仪器以27.4亿美元排名第五。富士通以26亿美元排名第六,英特尔以23.5亿美元排名第七。荷兰飞利浦以17.38亿美元排名第10。唯一上榜的韩国三星,以9亿美元排名第18位。第20名德国西门子,只有7.84亿美元。这一年,日本已经超越美国,成为世界第一大半导体生产国。

 

  盛极而衰是自然规律,商业领域也是这样。1989年日本泡沫经济破灭,经济进入停滞阶段。进入1990年代,随着苏联解体,美国收割冷战红利。在美国刻意遏制下,日本的国际竞争力迅速衰退,其半导体的全球份额迅速滑落至50%,2000年后更是下降到20%左右。如此溃于一旦的急速坠落,让世界震惊并疑惑,究竟发生了什么。

  日本厂商悬崖式坠落——放弃投资就会死

  美国、日本厂商的崛起——坠落循环,其实道理很简单,关键在投资。1973年世界石油危机后,欧美经济停滞,美国逐渐减少在半导体领域的投资。此时美国对日本还有5年左右的技术优势。然而就是这个时期,日本通过1976年VLSI计划的巨量投资,帮助日本企业在技术上赶超美国。日本政府的财税资金补贴,帮助日本企业建立了产能优势。1978年个人电脑市场爆发后,日本企业享受到产业投资带来的巨额利润。而美国企业由于前期放弃投资,就此丧失竞争力。此时产业投资竞争门槛,已经从70年代的几亿美元量级,急速暴增至80年代的几十亿美元量级。美国产业界失去投资-盈利循环的机会后,已经再也没有能力追加几十亿美元巨额投资,来与日本较量了。

  日本企业的急速坠落也是这个道理。1985年,日本厂商通过开出的海量产能,用暴跌的产品价格,挤垮了美国同行。但是产业不景气的后果,是日本厂商也失去了盈利能力。盈利减少后,日本企业纷纷减少对半导体的技术设备投资。仅在1985年,由于市场不景气,日本企业砍掉了近40%的设备更新投资,最终的投资额为4780亿日元(19.9亿美元)。1986年市场仍未回暖。1987年需求虽有恢复,但日本各厂商对投资持保守态度,该年度投资额仅有2650亿日元(18.4亿日元),只占营业收入的15.3%。

  1988年市场开始普及1M DRAM内存,但因上一次半导体不景气的殷鉴犹在,日本厂商对设备投资仍然谨慎保守。加上日元迅速升值,日本房地产泡沫蓬勃兴起,大量厂商将资金转投房地产行业。日本产品的价格竞争力急剧衰退。而韩国三星、现代、LG等厂商在此阶段疯狂投资,迅速赶超日本。到1992年,韩国三星就将日本NEC挤下了DRAM产业世界第一宝座。

  

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  (中国电子产业在1980年代彻底崩溃,恰恰也验证了“放弃投资就会死“的市场规律。)

  2004年,尔必达在广岛建成12英寸DRAM晶圆厂。建设一座8英寸晶圆厂需要投资10-15亿美元,建设一座12英寸晶圆厂,暴增至20-30亿美元。超高规模的投资,使得DRAM产业如同在刀锋上舞蹈,稍有不慎即全军覆灭。尔必达也在沉重的债务下,最终轰然倒地。

  日本尔必达——三家联手终究覆灭

  1992年西班牙举办巴塞罗那奥运会。原本市场预期会转暖,结果4M DRAM并未如预期般畅销,日本各厂被迫采取减产来阻止市场价格滑落。这就加速了韩国厂商崛起,韩国三星取代了日本厂商的龙头地位。更令日本人懊恼的是,曾经被日本人逼到差点破产的美国英特尔,与微软联手组建WINTEL同盟,依靠CPU产品大获成功。1996年,英特尔以177.78亿美元的巨额营收,打败日本NEC(104亿美元),重新夺回半导体世界第一大厂宝座。

  1995年微软即将发布Windows 95操作系统,引发市场大热。日本DRAM厂商又大肆扩充产能,企图重新夺回产业优势。但是韩国厂商也在此时疯狂扩充产能。最终导致的结果是,1996年DRAM价格狂跌70%。1997年亚洲金融危机,更是加重了市场衰退。因此从1996年至1998年,DRAM产业连续三年衰退,全球厂商均出现严重亏损。此时,世界DRAM内存市场已经扩充到400亿美元左右的市场规模。新建一座8英寸DRAM晶圆厂,动辄需要投资10-15亿美元,而且亏损风险极大。日本厂商在连年亏损下,已经丧失了追加投资的勇气。

  1999年,日本富士通宣布退出DRAM市场,不玩了。曾经无比强大的NEC、日立、三菱,将三家的DRAM部门合并,成立尔必达(Elpida)。这家重新组建的DRAM企业,希望通过联合经营来降低成本,对抗韩国三星。东芝也在2001年退出了DRAM市场。

  日本组建尔必达,是为了保护日本DRAM产业,避免被韩国企业各个击破。可是从成立之初,尔必达就是烫手山芋,被估算每天一开门就要净亏损2亿日元。2002年坂本幸雄出任尔必达CEO,开始拯救计划。他从美国英特尔拉来订单,并筹集资金建设广岛12英寸晶圆厂。让尔必达的全球市占率开始逐渐攀升。从2002年到2007年获利成长3倍。尔必达全盛时期,整合日系厂商的研发能力,产量排名世界第三,仅次于三星与海士力。不过先前大举扩张时已经埋下祸根。2007年全球金融危机后,DRAM价格暴跌,尔必达陷入严重亏损。2009年向日本政府申请了1300亿日元援助贷款。2011年泰国洪灾后DRAM市场低迷。日元更是出现史无前例的升值,同时韩元兑日元贬值70%。这让尔必达完全无法招架,销售额迅速下滑。2012年2月27日,尔必达向东京地方法院申请破产保护,当时公司负债总额已高达4480亿日元(89.6亿美元),是日本史上最大的破产案件。2012年7月,美国镁光以区区25亿美元低价收购尔必达。仅仅两年之后,镁光市值从60亿美元暴增至360亿美元,成为尔必达破产的最大受益者。

  日本企业的退出,进一步扩大了韩国企业的竞争优势。韩国企业似乎能够笑傲江湖了。

  可是在笑容背后,又有谁知道韩国人的悲惨命运?

  

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  2016年5月,日本三重县四日市,日本东芝与美国闪迪(SanDisk),合资建设的12英寸晶圆厂(New Fab 2),主要生产48层堆叠的3D NAND闪存芯片。该厂是在原来的Fab2厂址上推倒重建,总投资超过240亿元人民币。东芝成为日本内存行业发展四十年来,硕果仅存的企业。

  未完待续

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